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崗位職責：
1、參與公司第三代半導體（GaN、SiC）功率芯片的仿真設計以及工藝開發；
2、參與公司在第三代半導體功率器件方向相關知識產權的布局，如建立標準，申請專利等；
3、與代工廠配合，完善公司第三代半導體功率器件芯片相關的Design？Rule以及設計的Check？List；
4、協同進行流片后的器件測試以及model？card萃取擬合工作，配合進行流片過程中發生的Issue解析root？cause分析；
5、熟悉半導體功率器件的可靠性測試原理，了解相關設備操作原理，能夠同測試工程師一起根據實驗結果，提供可靠性提升相關建議，并指導設計工作。
任職資格：
1、微電子、凝聚態物理、材料等相關專業畢業；
2、在功率芯片方向上，具備至少5年的技術開發經歷；
3、熟練使用半導體器件仿真設計（TCAD）軟件，如Silvaco、Sentaurus或類似功能的相關軟件；
4、熟悉硅基功率半導體制程工藝或第三代半導體制程工藝；
5、具備Mask？Layout設計經驗者優先，了解常見繪圖軟件，如：LEDIT、Virtuoso、華大九天Aether/Argus等。